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上海SiC碳化硅MOSFET,熱泵三相PFC碳化硅MOSFET功率模塊,儲能變流器PCS三電平碳化...

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SiC碳化硅MOSFET在三相熱泵商用空調(diào)壓縮機驅(qū)動中的應(yīng)用
發(fā)布時間:2024-05-24        瀏覽次數(shù):237        返回列表
 國產(chǎn)基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET在三相熱泵商用空調(diào)壓縮機驅(qū)動中的應(yīng)用-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
 
適用于三相熱泵商用空調(diào)壓縮機驅(qū)動的國產(chǎn)基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
 
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
 
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
 
傾佳電子(Changer Tech)致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
 
 
熱泵(英語:heat pump)是將熱量從較低溫下的物質(zhì)或空間傳遞到更高溫度下的另一種物質(zhì)或空間的裝置,也就是使熱能沿自發(fā)熱傳遞的相反方向移動。熱泵為完成將能量從熱源傳遞到散熱器這一非自發(fā)過程,須要來自外部的能量。常見的應(yīng)用是暖氣、冷氣和冷凍機。但術(shù)語“熱泵”更為籠統(tǒng),適用于用于空間加熱或空間冷卻的許多暖通空調(diào)設(shè)備。
 
熱泵最常見的設(shè)計包括四個主要部件–冷凝器,膨脹閥,蒸發(fā)器和壓縮機。循環(huán)通過這些組件的傳熱介質(zhì)稱為制冷劑。
熱泵利用低沸點液體經(jīng)過節(jié)流閥減壓之后蒸發(fā)時,從較低溫處吸熱,然后經(jīng)壓縮機將蒸汽壓縮,使溫度升高,在經(jīng)過冷凝器時放出吸收的熱量而液化后,再回到節(jié)流閥處。如此循環(huán)工作能不斷地把熱量從溫度較低的地方轉(zhuǎn)移給溫度較高(需要熱量)的地方。
 
熱泵比簡單的電阻加熱器具有更高的能源效率。
 
熱泵按照交流輸入電源可以分為單相熱泵和三相熱泵,其輸出電功率可覆蓋3 kW到幾十千瓦。熱泵的室外機,主要由三部分構(gòu)成,包含PFC、壓縮機逆變器和風(fēng)機逆變器。無論是單相熱泵,還是三相熱泵,都包含了PFC這一功率環(huán)節(jié)。對于用電設(shè)備產(chǎn)生的諧波電流,全球各國以及地區(qū)都制定了明確的法規(guī),熱泵產(chǎn)品只有滿足了諧波電流法規(guī)要求,才能在所在國家和地區(qū)進行銷售,PFC也就是功率因素校正, 則可以有效改善用電設(shè)備的輸入諧波電流并提高其功率因素。
 
根據(jù)用電設(shè)備的輸入相電流大小,可以把用電設(shè)備分為兩大類,適用不同的法規(guī)進行諧波電流的市場準入管理。如圖3,以輸入相電流有效值等于16A為界,當用電設(shè)備的輸入相電流有效值小于或者等于16A時,適用IEC 61000-3-2,對應(yīng)的國標就是GB17625.1,這也是廣大工程師最熟悉的;當用電設(shè)備的輸入相電流有效值大于16A時,則適用IEC61000-3-12。這兩個主要的諧波電流法規(guī)最近有更新 , 但內(nèi)容主體 基本不變 。 最 新 的 IEC61000-3-2:熱泵的結(jié)構(gòu)以及諧波電流法規(guī)2:2019+A1-2021,將于2024年4月9日起執(zhí)行;國標GB17625.1-2022,將于2024年7月1日起執(zhí)行。
 
對于輸入相電流有效值小于或者等于16A的三相熱泵產(chǎn)品,目前市場上被動式PFC和主動式APFC的方案并存,被動式PFC方案,可以選用25A的PIM模塊,在整流橋之前加入三相交流電抗器,這種方式簡單易操作,當然,缺點也很明顯,為了滿足諧波電流限值的要求,在單個交流電抗器上的壓降可達到輸入相電壓的2%-4%,所以,交流電抗器感值大,效率低,個頭重,不能安裝在PCB板上,只能安裝到機殼內(nèi)壁,然后通過導(dǎo)線連接到PCB板上,導(dǎo)致生產(chǎn)線裝配成本也上去了。
只有提高開關(guān)頻率,才能有效減小磁性器件的體積,所以既能滿足諧波電流法規(guī),又高效,還能把電感或者電抗器安裝到PCB板上的有源PFC方案就成了最優(yōu)選擇, 當輸入相電流有效值小于等于16A時(模塊方案),三相橋的碳化硅MOSFET功率模塊的APFC方案,均可滿足諧波電流限值和板載PFC電感的要求。
 
對于熱泵應(yīng)用中的輸入諧波電流,被動式PFC的優(yōu)點是簡單易操作,缺點也很明顯,更換輸入電壓或者功率后,電抗器就得重新去試湊匹配;主動式APFC則沒有這個煩惱,主要的難度在于軟件控制算法層面 。 隨著諧波電流法規(guī)的趨嚴以及終端客戶的更高要求 , 采用三相碳化硅MOSFET功率器件解決方案的主動式APFC是一個必然趨勢。
 
負載例如熱泵系統(tǒng)可以是無功負載,也就是,該負載可具有凈無功分量,該凈無功分量不是運行負載所必須的有功功率的一部分。由供電設(shè)施所提供的功率可以是實際提供的電流和實際提供的電壓的乘積,或伏安。由負載所消耗的測量功率可以是等于有功功率的瓦特計測量值。功率因數(shù)可以通過有功功率除以伏安功率得到。
壓縮機的功率因數(shù)可部分地取決于壓縮機的驅(qū)動系統(tǒng)的類型。例如,由感應(yīng)馬達驅(qū)動的固定速度壓縮機可具有0.95的功率因數(shù)。由變頻器驅(qū)動的可變速壓縮機可具有0.6的功率因數(shù)。功率因數(shù)問題可由功率因數(shù)校正(PFC)系統(tǒng)解決,該PFC系統(tǒng)可以是被動的或主動的。被動PFC系統(tǒng)的示例可以是用于補償電感負載的電容器組。主動PFC系統(tǒng)的示例可以是改變載荷的無功分量以實現(xiàn)無功負載的更準確的匹配的系統(tǒng)。
壓縮機系統(tǒng)的額定功耗可部分地通過在熱泵系統(tǒng)的低負載條件下以瓦特為單位測量功率來確定。因此,熱泵系統(tǒng)的額定功耗可基于功率因數(shù)校正對從供電設(shè)施獲取的電流影響很小的條件。
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,基本™全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
 
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